简述霍尔电动势产生的原理

简述霍尔电动势产生的原理

1、霍尔电动势产生的原理是当一块半导体薄片置于磁场中有电流流过时，电子将受到洛伦兹力的作用而发生偏转，在半导体薄片的另外两端将产生霍尔电动势。

2、由霍尔效应的原理知，霍尔电势的大小取决于：Rh为霍尔常数，它与半导体材质有关，IC为霍尔元件的偏置电流，B为磁场强度，d为半导体材料的厚度。对于一个给定的霍尔器件，Vh将完全取决于被测的磁场强度B。

3、一个霍尔元件一般有四个引出端子，其中两根是霍尔元件的偏置电流IC的输入端，另两根是霍尔电压的输出端。如果两输出端构成外回路，就会产生霍尔电流。

霍尔传感器的工作原理是：

霍尔传感器是利用霍尔效应制成的传感器元件，用它可以检测磁场及其变化，可在各种与磁场有关的场合中使用。
半导体薄片置于磁感应强度为B 的磁场中，磁场方向垂直于薄片，当有电流I 流过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势VH，这种现象称为霍尔效应。
详细的原理我有ppt,可以再联系。

请问霍尔效应是怎么一回事？

美国物理学家霍尔(Hall,Edwin Herbert,1855-1938)于1879年在实验中发现，当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象便是霍尔效应。这个电势差也被叫做霍尔电势差。
霍尔效应此后在测量、自动化、计算机和信息技术等领域得到了广泛的应用，比如测量磁场的高斯计。
在霍尔效应发现约100年后，德国物理学家克利青(Klaus von Klitzing, 1943-)等在研究极低温度和强磁场中的半导体时发现了量子霍耳效应，这是当代凝聚态物理学令人惊异的进展之一，克利青为此获得了1985年的诺贝尔物理学奖。
之后，美籍华裔物理学家崔琦(Daniel Chee Tsui,1939- )和美国物理学家劳克林(Robert B.Laughlin，1950-)、施特默(Horst L.St rmer，1949-)在更强磁场下研究量子霍尔效应时发现了分数量子霍尔效应，这个发现使人们对量子现象的认识更进一步，他们为此获得了1998年的诺贝尔物理学奖。
最近，复旦校友、斯坦福教授张首晟与母校合作开展了“量子自旋霍尔效应”的研究。“量子自旋霍尔效应”最先由张首晟教授预言，之后被实验证实。这一成果是美国《科学》杂志评出的2007年十大科学进展之一。如果这一效应在室温下工作，它可能导致新的低功率的“自旋电子学”计算设备的产生。
目前工业上应用的高精度的电压和电流型传感器有很多就是根据霍尔效应制成的,误差精度能达到0.1%以下

霍尔传感器的工作原理？

尔传器
霍尔传器根据霍尔效应
(霍尔效应磁电效应种现象美物理家霍尔(A.H.Hall1855-1938)于1879研究金属导电机构发现电流垂直于外磁场通导体导体垂直于磁场电流向两端面间现电势差现象便霍尔效应电势差叫做霍尔电势差)
制作种磁场传器
霍尔效应磁电效应种现象霍尔(A.H.Hall1855-1938)于1879研究金属导电机构发现发现半导体、导电流体等种效应半导体霍尔效应比金属强利用现象制各种霍尔元件广泛应用于工业自化技术、检测技术及信息处理等面霍尔效应研究半导体材料性能基本通霍尔效应实验测定霍尔系数能够判断半导体材料导电类型、载流浓度及载流迁移率等重要参数
流体霍尔效应研究磁流体发电理论基础
1)电流传器必须根据测电流额定效值适选用同规格产品测电流间超额损坏末极功放管(指磁补偿式)般情况2倍载电流持续间超1钟
(2)电压传器必须按产品说明原边串入限流电阻R1使原边额定电流般情况2倍压持续间超1钟
(3)电流电压传器佳精度原边额定值条件所测电流高于电流传器额定值应选用相应传器;测电压高于电压传器额定值应重新调整限流电阻测电流低于额定值1/2佳精度使用绕圈数办
(4)绝缘耐压3KV传器期工作1KV及交流系统1.5KV及直流系统6KV传器期工作2KV及交流系统2.5KV及直流系统注意要超压使用
(5)要求良态特性装置使用用单根铜铝母排并与孔径吻合代或绕圈数均影响态特性
(6)电流直流系统使用某种原造工作电源路或故障则铁产较剩磁值注意剩磁影响精度退磁加工作电源原边通交流并逐渐减其值
(7)传器抗外磁场能力:距离传器5~10cm超传器原边电流值2倍电流所产磁场干扰抵抗三相电流布线相间距离应于5~10cm
(8)使传器工作佳测量状态应使用图1-10介绍简易典型稳压电源
(9)传器磁饱点电路饱点使其强载能力载能力间限制试验载能力2倍载电流超1钟
(10)原边电流母线温度超85℃ABS工程塑料特性决定用户特殊要求选高温塑料做外壳

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