三极管:
全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关,三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
替换原则:
1、常用三极管的类型有NPN型与PNP型两种,由于这两类三极管工作时对电压的极性要求不同,所以它们是不能相互代换的。
2、小功率三极
13N50C三极管可以用EUM091R、EUM092R三极管替换。
13N50C三极管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上。
13N50C三极管由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动。
从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。
扩展资料:
在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量。
一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)及基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射极电流子。
由于基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic,只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合。
-三极管
替换原则要看被替换的三极管的作用了。当电路使用三极管时,并不是利用三极管所有的参数,而是只利用其中部分参数,所以替换原则第1就是看功用。例如用于高频小信号放大的三极管,主要看三极管的使用频率,其次看放大倍数;如果是用做低频大功率放大,主要就看三极管的功率、Uce、(耐压)Ice(最大电流),其次看三极管的频率。总之,不同用途的三极管代换原则是不一样的。
具体到某个电路,如音频放大电路,对频率就没有什么要求;功率放大、电源电路,就要注意Pcm、Vcb0等参数;高频/中频放大、振荡电路,就要注意频率数。
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