异质结合的原则(减数分裂和遗传变异)

异质结合的原则

由不同的专长、学历、能力、年龄以及性格、性别的人员组合。秘书工作群体中既要有经验丰富、水平较高、能团结同事、指导工作的人担任机构或部门的负责人，又要有的工作认真、充满活力，有某种专长和能力的人担任普通工作人员。既要有专才，又要有通才；既要有擅长语言文字、政治法律、社会经济的文科人才，又要有懂得科学技术、工程管理、生产经营、电脑通讯等理工人才；既要有大学毕业生，也要有中专程度的工作人员；既要有青年，也要有中年；既要有性格内向、沉稳的内勤人员，也要有性格外向、活跃的外勤人员，甚至还应考虑男女性别的比例。这样，才能适应不同层次、不同性质工作的需要。

减数分裂和遗传变异

减数分裂与经典遗传规律的关系
减数分裂是有丝分裂的特殊形式，其结果是产生雌雄配子（即卵细胞和精细胞）。生物体遗传变异的表现，有赖于雌雄配子结合而产生的后代。经典遗传学中基因（遗传因子）的分离与组合实际就等同于染色体的分离与组合。分离规律和自由组合规律的细胞学基础，就是减数分裂过程中染色体的动态过程；而减数分裂过程中，非姊妹染色单体的交叉互换，则是连锁与互换规律的基础。
分离规律是最基本的遗传规律，它从本质上阐明了纯种个体产生的子代整齐一致，而由杂种个体产生的子代出现多样化分离的原因。同染色体一样，基因在体细胞中是成对存在的，如：CC或Cc或cc，其中一个来自父本，一个来自母本。当生物体进行生殖而产生配子时，各对等位基因随着染色体在减数分裂过程中彼此分开，因此在每个配子内只含有体细胞中等位基因中的一个。杂种个体由于是异质结合的，所以产生带不同基因的配子，例如：红花豌豆（CC）与白花豌豆（cc）杂交，F1基因型为Cc，它可以产生带C的配子和带c的配子，其数量各占50%。雌配子是两种，雄配子也是两种。当受精时，两种雌配子与两种雄配子的结合是随机的，且机会均等，其结果在F2中，必然是CC占四分之一，Cc占四分之二，cc占四分之一。由于CC、Cc都是开红花，共占3/4，所以显性性状的个体与隐性性状的个体的比例为3∶1。杂种后代产生分离的根源，在于杂种的等位基因组成属异质结合（如Cc），由于异质结合的两个基因在一起互不影响，互不融合，因而产生配子便能按原样分配到不同的配子中去。受精时，由于带有不同基因的雌雄配子相结合，就产生了性状不同的个体，即性状发生了分离。
独立分配规律揭示了各对等位基因之间的关系，说明了非等位基因之间的重新组合是自然界发生变异的主要来源之一。自然界各种作物一般都能发生或多或少的天然杂交，当不同性状的个体杂交后，由于基因独立分配的结果，后代能分离出许多不同于双亲的重新组合类型即重组型。双亲在相对性状上的差异越大，杂种一代的杂合基因就越多，其杂种二代的变异类型也就越多：当有二对杂合基因时，后代有22=4种不同的表现型；有三对杂合基因时后代有23=8种表现型，如果双亲中20对等位基因上存在着相对差异，那么杂种就有20对杂合基因，杂种二代群体中将会分离出220=1048576种不同表现型的个体。而出现这些性状上的分离，都是由于基因在减数分裂过程中，被分配到各子细胞中去时是自由的、随机的，雌雄配子之间的结合也是自由的随机的。
连锁与互换规律，阐明了一对同源染色体上非等位基因之间的相互联系和变化。由于在减数第Ⅰ次分裂前期的双线期，四合体中非姊妹染色单体的交叉互换，使配对的同源染色体之间彼此交换了染色单体的一个片段，从而使基因也随之交换，进一步增加了染色体组合方式的复杂性，也就增加了不同配子间的遗传差异，这是连锁与互换规律中基因交换的细胞学基础。

什么是同质结与异质结？

1、同质结就是同一种半导体形成的结，包括pn结、pp结、nn结。

2、异质结是一种特殊的PN结，由两层以上不同的半导体材料薄膜依次沉积在同一基座上形成，这些材料具有不同的能带隙，它们可以是砷化镓之类的化合物，也可以是硅-锗之类的半导体合金。

半导体异质结构的二极管特性非常接近理想二极管。另外，通过调节半导体各材料层的厚度和能带隙，可以改变二极管电流与电压的响应参数。半导体异质结构对半导体技术具有重大影响，是高频晶体管和光电子器件的关键成分。

扩展资料

异质结构双极晶体管——

在半导体异质结构中，中间层有较低的能带，因此电子很容易就由旁边的夹层注入，是故在晶体管中由射极经过基极到集极的电流，就可以大为提高，晶体管的放大倍率也为之增加；同时基极的厚度可以减小，其掺杂浓度可以增加，因而反应速率变大，所以异质结构得以制作快速晶体管。

利用半导体异质结构作成晶体管的建议与其特性分析，是由克接拉姆在1957提出的。半导体异质结构双极晶体管因具有快速、高放大倍率的优点，因而广泛应用于人造卫星通讯或是行动电话等。

异质结不同堆垛方式

异质结是由两种不同材料接触形成的结构，其中一种材料具有能隙，可以在其内部形成能带，而另一种材料则没有能隙。堆垛方式是指将不同的材料按照一定的顺序层层叠加起来形成异质结的过程中所采用的方式。
常见的异质结堆垛方式主要包括以下几种：
1.单一异质结： 单一异质结是最简单的异质结堆垛方式，它由两种材料依次排列而成。这种结构可以形成一个势垒，限制了电子和空穴的运动，因此具有半导体特性。
2.双异质结：双异质结比单一异质结复杂一些，该结构由三种不同材料依次排列而成。在两个异质界面之间，会形成两个势垒，使得电子和空穴的运动更加受限制。
3.量子阱异质结： 量子阱异质结是由两种材料交替堆叠形成的异质结，它与单一异质结的区别在于其中一种材料被分割成非常薄的片状，从而形成一维的电子能带。它具有非常好的量子限制效应，可以用于制造高速光电器件。
4.超晶格异质结： 超晶格异质结是由两种不同材料的周期性重复阵列所形成的结构，其中两种材料的周期长度不同，从而形成了类似晶格的结构。超晶格异质结可以改变材料的能带结构和电子的传输性质，因此可以用于制造多种器件。

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