砷化镓是一种重要的半导体材料。属于第八族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构,化学式GaAs。黑灰色固体,熔点1238摄氏度,它在600摄氏度以下,能在空气中稳定存在,并且不被非氧化性的酸侵蚀。
砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5到6倍,故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器
砷化镓是重要的化合物半导体材料。
外观呈亮灰色,具金属光泽、性脆而硬。常温下比较稳定。加热到873K时,外表开始生成氧化物形成氧化膜包腹。常温下,砷化镓不与盐酸、硫酸、氢氟酸等反应,但能与浓硝酸反应,也能与热的盐酸和硫酸作用。
砷化镓天然存量稀少,通常采用镓和砷直接化合的方法,其中水平区域熔炼法是普遍采用的方法。通过区域提纯便可获得单晶。
砷化镓的优点
电子物理特性砷化镓GaAs拥有一些比硅Si还要好的电子特性,如高的饱和电子速率及高的电子迁移率,使得GaAs可以用在高于250 GHz的场合。
GaAs的的另一个优点它是直接能隙的材料,所以可以用来发光。而Si是间接能隙的材料,只能发射非常微弱的光。砷化镓比硅更不会受到自然辐射的干扰,不易产生错误信号。
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