PN结的内建电场是指:
半导体的P区和N区由于浓度差,引起N区电子向P区扩散,同样P区空穴也向N区扩散,扩散的结果,在交界面两侧留下不能移动的正负离子,它们之间相互作用,生成一个电场,方向由N区指向P区,由于该电场存在于结合的半导体中,所以称为内建电场。
你好,温度升高,离子更活跃,本征激发机会增大,
少数载流子增加,p区的空闲与N区的电子靠近PN结,导致PN结宽度变小,即内则汪部电场减小,所以我们的温度升高时死区陪盯轮电压芦信是会下降的。
采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。PN结具有单向导电性,是电子技术中许多器件所利用的特性,例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。
在一块完整的硅片上,用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体,另一边形成P型半导体,此时两边电荷分布相当不均匀,扩散运动使P区空穴往N区运动,N区电子往P区运动,在P区和N区的交界处附近被相互中和掉.
使P区一侧因失去空首消野穴而留下不能移动的负离子,N区一侧因失去电子而留下不能移动的正离子。这样在两种半导体交界处逐渐形成由正、负离子组成的空间电荷区(耗尽层)。由于P区一侧带负电,N区一侧带正电,所以出现了方向由N区指向P区的内电场。
扩展资料:
在空间电荷区形成后,由于正负电荷之间的相互作用,在空间电荷区形成了内电场,其方向是从带正电的N区指向带负电的P区。显然,这个电场的方向与载流子扩散运动的方向相反,阻止扩散。
另一方面,这个电场将使N区的少数载流子空穴向P区漂移,使P区的少数载流子电子向N区漂移,漂移运动的方向正好与扩散运动的方向相反。
从N区漂移到P区的空穴补充了原来交界面上P区所失去的空穴,从P区漂移到N区的电子补充了原来交界面上N区所失去的电子,这就使空间电荷减少,内电场减弱。因此,漂移运动的结果是使空间电荷区变窄,扩散运动加强。
最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。在P型半导体和N型半导体的结合面两侧,留下离子薄层,这个离子薄层形成的空间电荷区称为桥郑PN结。PN结的内电场方向由N区指向P区。在空间电荷区,由于缺少多子,所以也称者喊耗尽层。
——PN结
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