肖特基效应:电子从物质内部(被原子核束缚的状态)逃离到表面所需的能量称为脱出功。两种物质的脱出功不同,那么电子就不能从脱出功大的物质自由地跑到脱出功小的物质。所需外加能量为两个脱出功之差,也称为肖特基势垒。
肖特基效应:电子从物质内部(被原子核束缚的状态)逃离到表面所需的能量称为脱出功。两种物质的脱出功不同,那么电子就不能从脱出功大的物质自由地跑到脱出功小的物质。所需外加能量为两个脱出功之差,也称为肖特基势垒。
高频电磁场效应: 电磁场产生电磁波的频率非常高,其所含的能量也就越高,打在物质上就越具有破坏力。例如γ射线是频率相当高的电磁波,可以作为“手术刀”切除病人坏死的组织。也可以干扰电子产品的工作。等等。应看具体的波段和场合。
肖特基
二极
管
基本
原理
是:在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡
反向电压
。肖特基与
PN结
的
整流
作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间特别地短。因此,能制作
开关
二极和
低压
大电流
整流二极管
。
肖特基二极管(Schottky
Barrier
Diode)
它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始
电压
较低。其金属层除钨材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其
半导体材料
采用硅或
砷化镓
,多为型半导体。这种
器件
是由
多数载流子
导电的,所以,其
反向饱和电流
较以
少数载流子
导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其
频率
响仅为RC
时间常数
限制,因而,它是高频和
快速开关
的理想器件。其
工作频率
可达100GHz。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作
太阳能电池
或发光二极管。
肖特基二极管(Schottky
Diodes):
肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的
势垒
对电流进行控制。它的主要
特点
是具有较低的正向压降(0.3V至0.6V);另外它是多子参与导电,这就比少子器件有更快的
反应速度
。肖特基二极管常用在
门电路
中作为
三极管
集电极
的
箝位
二极管,以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度。
肖特基势垒二极管SBD(Schottky
Barrier
Diode,简称肖特基二极管)是近年来间世的低功耗、大电流、超高速
半导体器件
。其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通
压降
仅0.4V左右,而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是
快恢复二极管
所无法比拟的。中、小
功率
肖特基整流二极管大多采用
封装形式
。
1.结构原理
综上所述,肖特基
整流管
的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管,而把金属-半
导管
整流管叫作肖特基整流管,近年来,采用硅
平面工艺
制造的铝硅肖特基二极管也已问世,这不仅可节省贵金属,大幅度降低成本,还改善了
参数
的
一致性
。
肖特基整流管仅用一种载流子(电子)输送电荷,在势垒
外侧
无过剩少数载流子的积累,因此,不存在电荷储存问题(Qrr→0),使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的
反向
耐压值较低,一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点,能提高低压、大电流整流(或续流)电路的效率
。
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